晶圓:核心作用是提供 “物理支撐基底”,其關鍵指標是高純度、低缺陷(如少子壽命長),滿足后續半導體制造的基礎載體需求,無需額外控制局部電學特性。
外延片:核心目的是通過 “外延層”優化器件電學性能。例如:
在外延層中精確摻雜(如 N 型 / P 型雜質),實現特定區域的導電特性,避免襯底雜質影響器件性能;
生長不同厚度的外延層,適配高頻、高壓等特殊器件(如功率半導體、射頻器件)的需求。
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