安徽進步半導體科技

ANHUI ADVANCED SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY

1、硅片硅片位于半導體產業鏈上游，是半導體器件和太陽能電池的主要原材料，主要應用于光伏和半導體兩個領域，下游需求近年來不斷增長。分領域來看，光伏用硅片的產能大多集中在我國，中環、隆基等龍頭公司實力強勁，生產技術水平全球領先；半導體硅片相對于光伏用硅片而言制作工藝更為復雜，應用場景也更多，市場價值更高，然而我國的半導體硅片產業起步晚，發展水平較為落后，全球市場被日本廠家壟斷，市場主流的 12寸...

MOCVD是金屬有機化合物化學氣相淀積(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的英文縮寫。MOCVD是在氣相外延生長（VPE）的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。這項技術起源于1968年，由美國洛克威公司的Manasevit等人提出。經過近20年的飛速發展，MOCVD成為了目前半導體化合物材料制備的關鍵技術之一。在MOCVD中，將超純氣體注入...

本文是一篇介紹在Si襯底上外延生長GaN基材料并用于射頻領域的綜述，如何生長高質量的Si基GaN,是業內比較關注的問題。摘要 : Si 襯底因兼具大尺寸、低成本以及與現有 CMOS 工藝兼容等優勢，使 Si 襯底上 GaN 基射頻( RF) 電子材料和器 件成為繼功率電子器件之后下一個該領域關注的焦點。 由于力學性質與低阻 Si 襯底不同，高阻 Si 襯底上 GaN 基外延材料生長的應力控制...