安徽進步半導體科技

ANHUI ADVANCED SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY

硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片和藍寶石基氮化鎵（GaN-on-Sapphire）外延片的核心區(qū)別源于襯底材料的本質(zhì)差異，進而導致兩者在晶體質(zhì)量、工藝難度、性能特性及應(yīng)用場景上存在顯著不同。以下從核心維度展開詳細對比：一、核心基礎(chǔ)：襯底材料特性差異外延片的性能根本由襯底材料（硅 / Si 或 藍寶石 / Al?O?）與外延層（氮化鎵 / GaN）的匹配度決定，關(guān)鍵參數(shù)對比如下：特性參數(shù)...

氮化鎵（GaN）外延片的制造工藝是其產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)，技術(shù)壁壘極高。它直接決定了外延片的質(zhì)量和最終器件的性能。目前，主流的商業(yè)化生產(chǎn)方法是 金屬有機化學氣相沉積（MOCVD - Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）。以下是基于MOCVD方法的氮化鎵外延片制造工藝流程的詳細解析：核心設(shè)備：MOCVD反應(yīng)爐MOCVD設(shè)備是一種大型、精密的真空沉積系統(tǒng)，...

一、第三代半導體：成熟應(yīng)用的 “寬禁帶先鋒”第三代半導體又稱 “寬禁帶半導體”，核心特征是禁帶寬度（半導體中電子從價帶躍遷到導帶所需能量）顯著大于傳統(tǒng)硅基半導體（硅禁帶寬度約 1.12eV），主要材料為碳化硅（SiC） 和氮化鎵（GaN） ，從上世紀 80 年代開始逐步產(chǎn)業(yè)化。1. 核心優(yōu)勢耐高溫 / 耐高壓：禁帶寬度 2.8-3.4eV，可承受超過 600℃的工作溫度，擊穿電場強度是硅的 ...

氮化鎵（GaN）外延片的清洗是器件制備前的關(guān)鍵工序，目的是去除表面污染物（如顆粒、有機物、金屬離子、自然氧化層等），避免其影響后續(xù)光刻、刻蝕、薄膜生長等工藝的精度和器件性能。由于 GaN 材料的化學穩(wěn)定性和外延結(jié)構(gòu)（如異質(zhì)結(jié)、多層膜）的特殊性，清洗需兼顧去污效果與材料完整性，以下是核心流程與要點：一、主要污染物類型及危害顆粒污染：來自環(huán)境粉塵、操作工具或前驅(qū)體殘留，會導致器件短路或缺陷密度上...

　　選擇優(yōu)質(zhì)的氮化鎵(GaN)外延片是一個復雜但至關(guān)重要的過程，它直接決定了最終器件的性能、可靠性和成本。作為一名專業(yè)人士，您需要從多個維度進行綜合考量。　　以下是一份詳盡的指南，幫助您系統(tǒng)地評估和選擇最適合您需求的氮化鎵外延片：　　第一步：明確您的應(yīng)用場景(這是最重要的出發(fā)點)　　不同的應(yīng)用對GaN外延片的要求有顯著差異，這決定了后續(xù)所有技術(shù)路線的選擇。　　功率電子 (Power El...

　　選擇氮化鎵(GaN)外延片廠家是一個至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策，因為它直接決定了您最終產(chǎn)品的性能、可靠性和成本。以下是需要全面考察的關(guān)鍵點，您可以將其作為一個評估框架：　　核心考量維度：　　1. 技術(shù)能力與產(chǎn)品質(zhì)量 (Technical Capability & Quality)　　這是最核心的考量點?！　〔牧闲阅苤笜耍骸　【鶆蛐?Uniformity)：片內(nèi)、片間、批次的厚度和摻雜濃度是否高度...

氮化鎵（GaN）外延片是制造第三代半導體器件（如 LED、功率器件、射頻器件）的核心基礎(chǔ)材料，其制造流程的核心是通過外延生長技術(shù)在襯底上形成高質(zhì)量、符合器件需求的氮化鎵基薄膜（含 GaN、AlGaN、InGaN 等多元合金）。整個流程可分為襯底準備、外延生長、后處理、質(zhì)量檢測四大階段，每個階段包含嚴格的工藝控制，具體如下：一、核心概念鋪墊：襯底與外延層的關(guān)系氮化鎵本身沒有天然的大尺寸單晶襯底...

氮化化鎵（GaN）外延片是制備 GaN 基光電子器件（如 LED、激光器）和功率電子器件（如 HEMT、MOSFET）的核心材料，其制作工藝的核心是在襯底上生長高質(zhì)量、結(jié)構(gòu)可控的 GaN 基薄膜（外延層） 。整個流程需嚴格控制晶體質(zhì)量、摻雜濃度、界面平整度等關(guān)鍵參數(shù)，主要分為襯底選擇、襯底預處理、外延生長、后處理與質(zhì)量檢測四大環(huán)節(jié)，以下為詳細解析：一、核心前提：襯底選擇與特性對比GaN 單晶...

氮化鎵（GaN）是一種二元化合物半導體材料，屬于第三代半導體材料。以下是具體介紹：基本信息：分子式為 GaN，分子量為 83.7267，密度為 6.10 克 / 厘米 3，為無色透明晶體。有立方晶系和六方晶系兩種晶型，二者均為直接躍遷型能帶，熔點約 1500K，但在 800℃以上會緩慢分解產(chǎn)生氮氣。主要特性：寬禁帶：禁帶寬度約 3.4eV，使得它在可見光區(qū)域具有高透明度，對 LED 和激光器...

外延片（Epitaxial Wafer，簡稱 Epi Wafer）與晶圓（Wafer）的核心區(qū)別在于結(jié)構(gòu)、制備目的和應(yīng)用場景，二者是半導體制造中不同階段的關(guān)鍵載體，具體差異如下：1. 定義與結(jié)構(gòu)類別定義核心結(jié)構(gòu)特點晶圓（Wafer）半導體制造的 “基礎(chǔ)襯底”，通常由高純度單晶硅（或其他半導體材料，如 GaAs）拉制、切割、拋光而成。單一層結(jié)構(gòu)，材質(zhì)為高純度原始半導體（如單晶硅），僅經(jīng)過表面拋...

　　MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，金屬有機化學氣相沉積)是一種先進的薄膜制備技術(shù)，核心作用是在襯底(如藍寶石、硅、碳化硅等)表面精準生長出高質(zhì)量、多層結(jié)構(gòu)的半導體薄膜，為制造各類光電子和微電子器件提供關(guān)鍵材料基礎(chǔ)。　　其具體作用可通過應(yīng)用場景進一步明確，核心是解決 “精準控制薄膜成分、結(jié)構(gòu)和性能” 的問題，具體包括：　　生長高質(zhì)量...

　　硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片的檢測原理，核心在于利用各種物理或化學手段，非破壞性地或微損地測量外延層的結(jié)構(gòu)、成分、電學和光學特性，并與目標值或質(zhì)量標準進行對比，以評估其質(zhì)量和適用性?！　∮捎诠枰r底與氮化鎵外延層之間存在顯著的晶格失配和熱膨脹系數(shù)差異，導致GaN-on-Si外延層中容易產(chǎn)生高密度的位錯、裂紋、應(yīng)力過大等問題。因此，檢測的重點集中在以下幾個方面及其對應(yīng)的原理：　　晶...

近日，三星電子在韓國舉辦的2023年三星晶圓代工論壇上宣布，將于2025年啟動面向消費電子、數(shù)據(jù)中心和汽車應(yīng)用的8英寸氮化鎵（GaN）功率半導體代工服務(wù)。氮化鎵作為寬禁帶半導體的“門面”之一，近期隨著技術(shù)的不斷升級，性能被進一步開發(fā)，開始強勢“破圈”，不再局限于快充等消費電子市場，而是向新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、可再生能源等高速發(fā)展的熱門領(lǐng)域持續(xù)推進。數(shù)據(jù)顯示，2022年全球氮化鎵功率器件市場規(guī)...

隨著電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)功率密度和工作頻率的不斷提高 ，需要開發(fā)性能優(yōu)于傳統(tǒng)半導體的功率器件。氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料的典型代表 ，被認為是提高大功率電力系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率的新一代功率器件的主要候選材料。在操作類型方面 ，增強型（也稱為常關(guān)型）器件具有安全 、能簡化電路設(shè)計以及更優(yōu)的電路拓撲設(shè)計等優(yōu)勢 ，在行業(yè)應(yīng)用中更具吸引力。本文簡單介紹下增強型HEMT。目前 ,在第三代半導體材料中 ,氮化...

MOCVD是金屬有機化合物化學氣相淀積(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的英文縮寫。MOCVD是在氣相外延生長（VPE）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。這項技術(shù)起源于1968年，由美國洛克威公司的Manasevit等人提出。經(jīng)過近20年的飛速發(fā)展，MOCVD成為了目前半導體化合物材料制備的關(guān)鍵技術(shù)之一。在MOCVD中，將超純氣體注入...

1、硅片硅片位于半導體產(chǎn)業(yè)鏈上游，是半導體器件和太陽能電池的主要原材料，主要應(yīng)用于光伏和半導體兩個領(lǐng)域，下游需求近年來不斷增長。分領(lǐng)域來看，光伏用硅片的產(chǎn)能大多集中在我國，中環(huán)、隆基等龍頭公司實力強勁，生產(chǎn)技術(shù)水平全球領(lǐng)先；半導體硅片相對于光伏用硅片而言制作工藝更為復雜，應(yīng)用場景也更多，市場價值更高，然而我國的半導體硅片產(chǎn)業(yè)起步晚，發(fā)展水平較為落后，全球市場被日本廠家壟斷，市場主流的 12寸...

本文是一篇介紹在Si襯底上外延生長GaN基材料并用于射頻領(lǐng)域的綜述，如何生長高質(zhì)量的Si基GaN,是業(yè)內(nèi)比較關(guān)注的問題。摘要 : Si 襯底因兼具大尺寸、低成本以及與現(xiàn)有 CMOS 工藝兼容等優(yōu)勢，使 Si 襯底上 GaN 基射頻( RF) 電子材料和器 件成為繼功率電子器件之后下一個該領(lǐng)域關(guān)注的焦點。 由于力學性質(zhì)與低阻 Si 襯底不同，高阻 Si 襯底上 GaN 基外延材料生長的應(yīng)力控制...

   綜合論述了 GaAs 和 GaN 微波毫米波的收發(fā)多功能芯片、幅相多功能芯片和 GaAs 限幅放大器集成芯片的發(fā)展狀況、電路結(jié)構(gòu)和性能特性，簡述了收發(fā)多功能中的功率放大器和低噪聲放大器的設(shè)計方法、幅相多功能中數(shù)字移相器和衰減器的設(shè)計方法，給出了限幅低噪聲放大器中限幅器的設(shè)計參考。引 言微波單片集成電路(Microwave monolithic inte-grated circuit,...